《半導體》鈺創CES將秀DDR3新品 鎖定AI、KGD異質整合

鈺創表示，AI應用基於高速運算的需求，帶來的溫度挑戰也隨之增加。然而，傳統DRAM受限於先天物理特性，存取效能會隨着溫度上升而衰減。鈺創研發團隊透過獨特的電路創新找出解決之道，讓LRTDRAM能在符合JEDEC標準下提升每一個cell的資料保存時間(tREF)。這項長效資料保存技術能大幅拉長DRAM的刷新時間，提供更高效的數據處理能力，在高溫、異質整合封裝與大容量等環境下的性能改善尤其更爲明顯。

鈺創4Gb DDR3 LRTDRAM，可在攝氏122度的高溫環境下實現超過104毫秒的100%長時保留。相較於未採用此創新電路設計的產品，資料保存時間的差異可達到64毫秒，充分證明LRTDRAM確實能大幅提升DRAM的整體效能。目前此款4Gb DDR3 LRTDRAM的相關驗證皆已完成，並開始於客戶端送樣。

鈺創將在本次CES中展出的4Gb DDR3 LRTDRAM，不但是一項技術革新，更是鈺創持續投入創新的展現。鈺創相信LRTDRAM不僅能大幅提升DRAM的整體效能，更將有效支援AI、KGD異質整合封裝和車載應用，推動整體產業邁向更高效、可靠的未來。作爲積極投入重要關鍵應用市場的記憶體解決方案供應商，鈺創接下來也將持續爲客戶帶來更多的創新與突破。