《半導體》臺亞決配息1元 H2拚逐月揚

臺亞總經理衣冠君表示，除了從臺亞半導體集團分割成立出「光磊先進顯示」以從事面板組裝與系統開發之外，也因爲看好第三代半導體未來的成長性，故已於去年成立子公司「積亞半導體」以從事碳化矽(SiC)晶圓代工；整體目的在於集團之產業分工明確，有利於集團資源之整合統籌。

衣冠君指出，臺亞半導體目前的主要事業仍是感測元件，隨着疫情解封，消費性市場已從去年的谷底逐步回溫，故臺亞已着手進行策略性的產能調整，除滿足客戶的急單需求之外，也因應下半年的穿戴裝置旺季作準備，且同步維持感測技術之領先優勢，爲各家品牌穿戴客戶開發出次世代的新產品，持續創造產品價值與共同成長。臺亞認爲，今年下半年可望逐月回溫成長。

此外，臺亞持續投入寬禁帶半導體(俗稱爲第三代半導體)之研發與製造，特別在於功率元件上的技術及應用開發，且成立「積亞半導體」投入碳化矽的磊晶及MOSFET功率元件之生產製造，預計2023年第四季前完成6吋碳化矽每月3000片之產能置備，逐步開始生產，後續產能目標爲每月5000片。產品應用主要爲電動車OBC、太陽能逆變器及充電樁。

氮化鎵(GaN-on-Si)方面，產能建置初期以六吋晶圓爲主，充分利用現有之六吋生產設備、增置關鍵MOCVD磊晶機。現已完成第一顆650V D-mode HEMT之開發，並送樣予客戶驗證，其應用範疇涵括工具機、綠能(太陽能逆變器)、LED照明電源(模組)、電競筆電等多元市場。氮化鎵的八吋產線將於2023年底前完成置備，並開發E-mode 650V HEMT功率元件，聚焦於3C快充、雲端資訊存儲中心、電動車、無人機市場，目標設定爲2024年底前達每月3000片之出貨量。

臺亞半導體集團於斥資新建寬禁帶半導體產線時，同步納入扶植臺灣本土設備製造商之考量，是故臺亞第一條八吋氮化鎵生產線所採用之國產設備比例已達40%以上，爲例證之一，屬臺灣半導體界罕見之高比例。

爲能積極因應未來寬禁帶半導體功率元件之需求爆發，現正加速於銅鑼科學園區規畫新建廠房，預計將招聘數百位工程師，專長涵蓋晶片設計、製造、封裝與測試等領域。後續目標爲上下游之技術垂直整合，並結合在地與區域供應鏈，發揮臺灣製造優勢，堅持高品質，滿足客端產品需求與售後服務，以務實穩健的腳步帶動集團的營運成長。