《半導體》IET-KY前3季每股賺0.68元 目前漸走出谷底

IET-KY今天受邀參加法人說明會，IET-KY第3季合併營收2.04億元，年減3.41%，由於產品組合優化，推升毛利率，單季合併毛利率31.26%，季增17.76個百分點，稅後淨利4455.4萬元，單季每股盈餘1.22元，年增96.77%；累計前3季合併營收爲4.9億元，年減28.2%，合併毛利率24.35%、稅後淨利2475.5萬元，每股盈餘爲0.68元。

就各產品來看，磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)及勞務收入佔IET-KY營收比重分別爲38.9%、38.7%、21.1%，其中磷化銦(InP)部分，IET-KY表示，雖然目前量產訂單仍待客戶庫存出清，但用於高頻與光電的HBT、APD及VCSEL等磊晶片訂單持續回升，美、日大廠加大APD、PIN及iHEMT訂單，同時也新增應用於高速網絡到環境感測等衆多應用中的EAM及QCL雷射產品，公司仍積極拓展量產訂單。

在銻化鎵(GaSb)銷售部分，銻化鎵紅外磊晶片國防以外的訂單比例增高，客戶亦增加，目前機臺產能正常，公司正努力加快交貨期，提高元件測試效率，全力發展商用銻化鎵紅外磊晶片及元件相關技術。

在砷化鎵(GaAs)方面，高端國防及航天pHEMT量產訂單按時出貨中，英特磊也積極爭取GaAs pHEMT新增客戶，同時公司也將穩固原材料(鎵，砷)供應和生產能力以期產能充足穩定供貨；氮化鎵二次生長(GaN+Regrowth)客戶反應一致良好，大尺吋矽基磊晶片美、臺訂單比例增高，第3季公司新增了一臺MBE機臺，以期在第4季進一步提高GaN二次生長的產能。

高永中表示，整體而言，客戶對大型機臺改造、包機服務、新型機臺研發用於氮化鎵二次生長、砷化銦蒸鍍及氮化鎵（GaN）生長詢問度均有增加的趨勢，從目前市場狀況來看，公司已漸漸走出谷底，對於後續營運表現保守樂觀。

至於IET-KY二廠擴建工程與新增機臺及機臺升級資金運用進程將配合美國晶片法案及可轉換公司債發行。